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为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

参考答案：不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
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问答题

为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

参考答案：传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难...
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问答题

简述ULSI对刻蚀的要求。

参考答案：①对不需要刻蚀的材料（主要是光刻胶和下层材料）的高选择比；②可接受产能的刻蚀速率；③好的侧壁剖面控制；④好的片内均匀性；...
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问答题

刻蚀有哪些参数？

参考答案：

①刻蚀速率；
②刻蚀偏差；
③选择比；
④均匀性；
⑤刻蚀剖面。

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问答题

简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。

参考答案：优点：①刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制；②好的CD控制；③最小的光刻胶脱落或粘附问题；④好的片内、片间、批间的刻...
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问答题

简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

参考答案：把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去...
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问答题

简述刻蚀的概念、工艺目的、分类、应用。

参考答案：概念：用化学或物理的方法，有选择地去除硅片表面层材料的过程称为刻蚀。工艺目的：把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复...
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问答题

简述什么焦深（DOF）及其公式。

参考答案：焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路光刻中的景深很小，一般在1.0&mu...
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问答题

写出分辨率（R）公式及简述提高分辨率的方法。

参考答案：分辨率是将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。k为工艺因子，范围是0.6～0.8...
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问答题

写出数值孔径（NA）公式。

参考答案：

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问答题

简述正胶和负胶区别。

参考答案：

正胶：曝光的部分易溶解，占主导地位；
负胶：曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好，但分辨率低。

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