问答题X 纠错
分辨率是将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。 k为工艺因子,范围是0.6~0.8;λ为光源的波长;NA为曝光系统的数值孔径。 提高分辨率的方法: ①减小工艺因子k:先进曝光技术 ②减小光源的波长:汞灯→准分子激光(→等离子体) ③增大介质折射率:浸入式曝光 ④增大θm:增大透镜半径、减小焦距
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问答题
正胶:曝光的部分易溶解,占主导地位; 负胶:曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好,但分辨率低。
①气相成底膜;②旋转涂胶;③软烘;④对准和曝光;⑤曝光后烘培(PEB);⑥显影;⑦坚膜烘培;⑧显影检查。
名词解释
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