①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。

①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变；
②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低；
③表面杂质浓度可控。

①间隙式扩散；
②替位式扩散。