名词解释X 纠错

结深

参考答案：杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。
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问答题

说明扩散杂质的高斯分布特点（有限源扩散属于此分布）

参考答案：

①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变；
②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低；
③表面杂质浓度可控。

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问答题

说明扩散杂质的余误差函数分布特点（恒定表面源扩散属于此分布）

参考答案：①杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变；②扩散时间越长，扩散温度越高...
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问答题

杂质在硅中有哪些扩散机制？

参考答案：

①间隙式扩散；
②替位式扩散。

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问答题

简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。

参考答案：①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层...
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问答题

简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

参考答案：①氧化温度；②氧化时间；③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍...
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问答题

简述SiO2在集成电路中的用途。

参考答案：①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）③保护层：保护器件以免划伤和...
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填空题

SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

参考答案：高温；杂质；氧化硅
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问答题

简述掺氯氧化工艺。

参考答案：在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3%以下）以改善SiO2–Si的界面特性。其优点：...
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问答题

在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？

参考答案：①可动电荷： 指Na+、K+离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。②固定电荷：指位于SiO2&nda...
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问答题

简述硅热氧化过程中有哪些阶段？

参考答案：第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、...
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