问答题X 纠错
①结构及质量:热生长的比沉积的结构致密,质量好。 ②成膜温度:热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层,在第一层金属布线形成完进行,做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 ③硅消耗:热生长的消耗硅,沉积的不消耗硅。
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区熔法(FZ法)的特点使用掺杂好的多晶硅棒; 优点是纯度高、含氧量低; 缺点是硅片直径比直拉的小。
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