①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）
②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）
③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长）
④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长）
⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长）
⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长）
⑦层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积）

区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；
优点是纯度高、含氧量低；
缺点是硅片直径比直拉的小。