A.现场规划（Field programming）
B.可规划仅读存储器（programmable read-only memory）
C.可清除的（erasable）PROM或是EPROM
D.可电性清除（electrically-erasable）的PROM（EEPROM）

A.PROM
B.PLA
C.PAL
D.PRAM

A.PLA的大小是由输入数目，乘积项数目及输出数目来指定的
B.PLA只可做罩幂规划但不能做现场规划
C.PLA内的译码器是以一个AND阵列所取代，此AND闸被规划成产生输入变量所组成的任何乘积项
D.PLA的输出以OR闸提供所需布林函数的积之和

A.3-input OR Gate
B.3-input AND Gate
C.3-input XOR Gate
D.3-input XNOR Gate

A.SPLD
B.CPLD
C.NPLD
D.FPGA

A.逻辑方块（Logic Block）
B.资料选择器（Data Selector）
C.输入/输出方块（I/O Block）
D.逻辑元素（Logic Element）

A.LAB（逻辑阵列方块）
B.PIA（可程序化互联阵列）
C.PAL/GALmacro-cell（巨单元）
D.JTAG

A.endmodule
B.inout
C.xnor
D.netlist

A.双极性元件
B.TTL
C.CMOS
D.ECL

A.可重复规划
B.只能规划一次
C.出厂后资料就已定型
D.须向IC制造商按需求订制

A.原形输入熔丝熔断
B.补码输入熔丝熔断
C.原形和补码的熔丝都熔断
D.原形和补码的熔丝都保留