在室温下，高纯锗的电子迁移率μ_n=3900cm²/v˙s，设电子的有效质量为m_n=3×10^-29g，求：
（1）热运动速度平均值 
（2）平均自由时间
（3）平均自由路程 
（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε₀e^iωt，求在频率ω下的金属电导率。

（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。
（2）当n_i=2.5×10¹³/cm³，μ_p=1900cm²/v˙s，μ_n=3800cm²/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。
（3）当n₀和p₀为何值时，电导率等于本征电导率。

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分别计算这三个样品的电子浓度
（2）判别这三个样品的导电类型 
（3）计算这三个样品的费米能级的位置

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度N_A=1×10¹⁵cm²，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n₀=5×10¹⁵cm³，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×10¹⁵cm³，试求：
（1）平衡少子的密度 
（2）材料中施主杂质的密度
（3）电离杂质和中性杂质的密度

两块n型硅材料，在温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n₁/n₂=e。
（1）如果第一块材料的费米能级在导带之下3k₀T，求第二块材料的费米能级的位置。
（2）两块材料中空穴密度之比。