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问答题

在半导体中,V族杂质原子外层第五个电子的运动,可以看成是围绕一个正核电荷的圆形轨道上运动,并穿过具有体介电常数的材料。证明,如果介电常数为11.7,则能量为大约0.1eV的电子,就能在晶体中自由运动。材料晶格常数为5.42A。

参考答案:XXX基态的能量为Z=1,n=1时的值,电荷束缚,在<流体>中运动,同理可求出基态半径:材料晶格常数只有5.42A&de...

问答题

玻尔原子的允许轨道半径和能量由下式给出:

证明以上方程可以写成

参考答案:

问答题

在一维周期性势场中运动的电子波函数分别具有如下形式:

这里a是一维晶格的晶格常数,f(x)是某个确定的函数,试用布洛赫定理指出上述各种情形下的波矢k值。

参考答案:

问答题

某半导体晶体价带顶附近能量E可以表示为,E(k)=Emax-10-26k2,现将其中一波矢为107/icm的电子移走,求此电子留下的空穴的有效质量,波矢及速度。

参考答案:


等能面为球面,有效质量为各向同性,为标量。
空穴有效质量:

问答题

如只考虑最近邻的相互作用,用紧束缚近似方法可以得到简立方晶体中s态电子能带为
E(k)=E0-A-2J(cos2πkx+cos2πky+cos2πkz
试求:
(1)能带宽度。 
(2)能带底部和能带顶部的电子有效质量。

参考答案:

问答题

若只计及最近邻的相互作用,用紧束缚近似方法可以得到体心立方晶格S态电子能带由下式确定:
E(k)=E0-A-8Jcosakxcosakycosakz
其中J为交迭积分。试求: 
1.体心立方晶格的能带宽度 
2.能带底部和能带顶部的有效质量。
3.画出沿kx方向E(kx)和U(kx)的曲线。

参考答案:


问答题

对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体,当外加102/Vm和107/Vm电场时,分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

参考答案:

问答题

已知一维晶体的电子能带可写成,式中a为晶格常数。求
(1)能带的宽度 
(2)电子波矢k状态时的速度 
(3)能带底部和顶部电子的有效质量

参考答案:

问答题

在各向异性晶体中,其能量可以用波矢的分量表示成:E(k)=Ak2x+Bk2y+Ck2z,求出能代替牛顿方程的电子运动方程。

参考答案:

问答题

简述正向设计流程。

参考答案:①根据功能要求进行系统设计;②划分成子系统进行逻辑设计;③有逻辑图或功能块功能要求进行电路设计;④由电路图设计版图,根据...
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