单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）；当控制角α小于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）。

单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为（），单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为（）和（）；带阻感负载时，α角移相范围为（），单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为（）和（）；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个（）。

阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是（） ，其承受的最大正反向电压均为（），续流二极管承受的最大反向电压为（）（设U2为相电压有效值）。

电阻负载的特点是（），在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是（）。

在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。

IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

晶闸管的基本工作特性可概括为 （）。

肖特基二极管的开关损耗（）快恢复二极管的开关损耗

电力二极管的主要类型有（）、（）、（） 。