问答题X 纠错

参考答案:

假设b=0.25nm,则当θ=1°时,可计算出D=14nm,约为52个原子间距。如果θ=10°,可计算出D=1.4nm,约为5个原子间距,计算出的位错密度太大,说明晶界位错墙模型已经不再适用。

查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

小角度晶界和大角度晶界是如何划分的?为什么要那样划分?其晶界能有何不同?

参考答案:一般将相邻晶粒的取向差θ<15°的晶界称为小角度晶界,相邻晶粒的取向差θ>15°...

问答题

比较刃型位错、螺型位错、和混合型位错的滑移异同。

参考答案:相同点:不论是何种位错,位错的滑移方向都是位错的法线方向,滑移的结果都是在晶体表面形成宽度为b的台阶。不同点:(1)刃型...

问答题

点缺陷对性能有什么影响?

参考答案:(1)空位浓度升高,导体的电阻升高。(2)空位引起体积增加、密度减小。(3)辐照损伤,即用电子、中字、质子、&alpha...

问答题

空位形成浓度依据什么原理测定?用什么方法测定?

参考答案:原理:由,可知,只要测出不同温度下得lnCV-1/T曲线,就可以得到空位形成能Ef(曲线斜率)。方法:(1)西蒙斯&md...

问答题

说明晶体缺陷的概念和分类方法,简述各种晶体缺陷的概念、特征及其对性能的影响。

参考答案:概念:晶体缺陷是指晶体中偏离理想的完整结构的区域。分类方法:按形成晶体缺陷的原子种类,可将晶体缺陷分成化学缺陷和点阵(几...

问答题

简述薄膜表面(晶粒)结构与温度的关系。

参考答案:在低温下,吸附原子的扩散速度低,成核少,少量晶核纵向生长,易长成锥状晶粒,结构不致密;温度升高,晶界变模糊,形成密排的致...

问答题

薄膜的晶态结构与体材料有区别吗?如果有,是怎样的区别?

参考答案:多数情况下薄膜中晶粒的晶体结构与体材料相同,但其晶格常数有变化。晶格常数变化原因是薄膜中有较大的内应力和表面张力。晶粒越...

问答题

薄膜的组织(晶态)结构有几种形态?各有什么特点?

参考答案:晶态结构有无定形、多晶、织构、单晶等几种形态。无定形(非晶态):降低基体温度可降低吸附原子的表面扩散速率,有利于形成非晶...

问答题

为何从球冠形晶核模型推导出的临界晶核半径与实际偏差很大?更符合实际的模型是什么样的?

参考答案:原因:薄膜实际形核时临界核很小,不能形成球冠的形状,宏观的表面能、界面能、体积自由能的统计数据在此处不再有意义。模型:原...

问答题

简述薄膜形核的过程和长大的过程。

参考答案:形核:一般是气相原子在基底的表面聚集而成,包括吸附、凝结、临界核形成、稳定核形成等过程。入射到基体表面的气相原子被悬挂键...
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved