在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

单项选择题X 纠错

A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是

参考答案：

进入题库练习

查答案就用赞题库小程序还有拍照搜题语音搜题快来试试吧

无需下载立即使用

你可能喜欢

填空题

在热力学温度零度时，能量比F_F小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为（）。

参考答案：等于0；大于1/2

点击查看答案进入题库练习

填空题

将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。

参考答案：施主；受主

单项选择题

A. 直接
B. 间接

单项选择题

A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子

点击查看答案进入题库练习

填空题

受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。

参考答案：空穴；电子；电子和空穴

点击查看答案进入题库练习

填空题

半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

参考答案：电离杂质的散射；晶格振动的散射

点击查看答案进入题库练习

填空题

通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

参考答案：玻尔兹曼分布；费米分布

点击查看答案进入题库练习

填空题

在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为（），高于费米能级2kT能级处的占据概率为（）。

参考答案：1/2；1/1+exp（2）

点击查看答案进入题库练习

填空题

半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

参考答案：[100]；间接带隙

点击查看答案进入题库练习

填空题

两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

参考答案：正；相等

点击查看答案进入题库练习

赞题库

赞题库-搜题找答案

（已有500万+用户使用）

历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题

无需下载立即使用

手机版电脑版