什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。

什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？

某一维晶体的电子能带为

能带底和能带顶的有效质量

某一维晶体的电子能带为

求能带宽度

简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

试指出空穴的主要特征。

试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

证明：对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等，方向相反。即：v（k）= －v（－k），并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。

室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s， 且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。