简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

试指出空穴的主要特征。

试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

证明：对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等，方向相反。即：v（k）= －v（－k），并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。

室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s， 且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的费米能级的位置。

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判断这三块材料的导电类型

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的电子浓度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。