室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s， 且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的费米能级的位置。

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判断这三块材料的导电类型

现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的电子浓度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即E_Fn>E_F。

（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 （）运动。

半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。