画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即E_Fn>E_F。

（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 （）运动。

半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。

如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

画出对应的电荷分布图。

室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。