将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主...

判断题X 纠错

将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。

参考答案：对

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判断题

费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。

参考答案：对

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判断题

在热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为小于50%。

参考答案：错

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判断题

室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。

参考答案：错

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判断题

砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。

参考答案：对

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判断题

与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。

参考答案：对

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单项选择题

对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）

A. 杂质电离和电离杂质散射
B. 本征激发和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激发

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多项选择题

由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（）电流

A.扩散
B.漂移
C.热运动

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单项选择题

P型半导体发生强反型的条件（）

A.A
B.B
C.C
D.D

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多项选择题

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段

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单项选择题

导带底的电子是（）。

A. 带正电的有效质量为正的粒子
B. 带正电的有效质量为负的准粒子
C. 带负电的有效质量为正的粒子
D. 带负电的有效质量为负的准粒子

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