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多项选择题
A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段
问答题
请选出正确选项填入括号内
在室温下,半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质后,半导体中多数载流子是(),多子浓度为(),费米能级的位置();一段时间后,再一次向半导体中掺入浓度为1.1×1015cm-3的硼杂质,半导体中多数载流子是(),多子浓度为(),费米能级的位置();如果,此时温度从室温升高至K550,则杂质半导体费米能级的位置()。(已知:室温下,ni=1010cm-3;K550时,ni=1017cm-3)
C;D;G;B;E;H;I
问答题
磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量mp*=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求
①受主杂质电离能;
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
问答题
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量mn*=0.015m0, m0为电子的惯性质量,求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。