问答题X 纠错

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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问答题

计算能量在E=Ec到E=Ec+之间单位体积中的量子态数。

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问答题

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量mp*=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

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问答题

锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0， m0为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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问答题

举例说明杂质补偿作用。

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问答题

以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

参考答案：Ga有3个价电子，它与周围的四个Ge原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ga原子接...
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问答题

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

参考答案：As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称...
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问答题

实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

参考答案：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。...
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问答题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

能带顶部空穴的有效质量mp*

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问答题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

能带底部电子的有效质量mn*

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问答题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

电子在波矢k状态时的速度

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