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一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

能带底部电子的有效质量mn*

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分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

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Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图所示：

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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为：

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导带底电子有效质量

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已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

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