A.沉淀法
B.机械混合法
C.离子交换法
D.浸渍法

A.结焦的催化剂要更换或再生
B.结焦的量不会高于20%
C.结焦后活性组分覆盖在碳上
D.结焦增加了可达的表面积

A.甲烷
B.乙烯
C.乙炔
D.苯

A.吸附越强，反应活性越好
B.吸附越弱，反应活性越好
C.中等吸附强度，反应活性最好
D.中等吸附强度，反应活性最差

A.导电率上升，化学吸附量低
B.导电率减少，化学吸附量低
C.导电率上升，化学吸附量高
D.导电率减少，化学吸附量高

A.晶体表面的原子处于与体相中的原子不同的状态
B.它的配位数小于体相中原子的配位数
C.它的相邻原子没有完全补足
D.晶体表面质点的排列完全和晶体体相中平等于表面的任何平面中的排列一样

A.微孔
B.中间孔
C.中大孔
D.大孔

A.元素组成、结构和含量
B.表面的组成
C.可能呈现的表面功能基的性质和含量
D.物相间相互排列的方式

A.沉淀
B.干燥
C.离子交换
D.浸渍

A.n型半导体
B.p型半导体
C.绝缘体
D.本征半导体

A.半导体电导增加，吸附覆盖度可以达到1
B.半导体电导减少，吸附覆盖度可以达到1
C.半导体电导增加，化学吸附量只能很有限
D.半导体电导减少，化学吸附量只能很有限