单项选择题X 纠错
A.导电率上升,化学吸附量低 B.导电率减少,化学吸附量低 C.导电率上升,化学吸附量高 D.导电率减少,化学吸附量高
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单项选择题
A.晶体表面的原子处于与体相中的原子不同的状态 B.它的配位数小于体相中原子的配位数 C.它的相邻原子没有完全补足 D.晶体表面质点的排列完全和晶体体相中平等于表面的任何平面中的排列一样
A.微孔 B.中间孔 C.中大孔 D.大孔
A.元素组成、结构和含量 B.表面的组成 C.可能呈现的表面功能基的性质和含量 D.物相间相互排列的方式
A.沉淀 B.干燥 C.离子交换 D.浸渍
A.n型半导体 B.p型半导体 C.绝缘体 D.本征半导体
A.半导体电导增加,吸附覆盖度可以达到1 B.半导体电导减少,吸附覆盖度可以达到1 C.半导体电导增加,化学吸附量只能很有限 D.半导体电导减少,化学吸附量只能很有限
A.金属的类别 B.遮盖率 C.温度和压力 D.浓度
A.乙烷 B.乙烯 C.乙炔 D.苯
A.ZnO B.Cu2O C.Al2O3 D.NiO
A.化学吸附在比吸附物沸点高得多的温度也可以发生 B.化学吸附的吸附量总是随着温度的升高而单调地减少 C.化学吸附与吸附活化能有关 D.化学吸附可有较大的温度范围变动
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