A.虽然CCD是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去；
B.不但CCD是通过P-N结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去；
C.光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出去；
D.光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放掉。

A.光电探测器中的电子的速度减小；
B.光电探测器中的电阻的阻值减小；
C.光电探测器中的电阻的热噪声减小；
D.光电探测器的通频带的宽度减小。

A.降低光电探测器的温度，减小电路系统的通频带宽度；
B.降低光电探测器的温度，减小电路系统的等效电阻；
C.提高光电探测器的温度，增大电路系统的通频带宽度；
D.提高光电探测器的温度，增大电路系统的等效电阻；

A.减小电路中温度噪声的影响；
B.减小电路中噪声的影响；
C.减小电阻热噪声的影响；
D.减小电路中产生-复合噪声的影响。

A.A
B.B
C.C
D.D

A.减小光电二极管的接受光的区域的面积；
B.减小光电二极管的P—N结的厚度；
C.减小后级电路的负载电阻的阻值；
D.给光电二极管加较大的反向偏置电压。

A.光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；
B.光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限
C.光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；
D.光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；

A.A
B.B
C.C
D.D

A.A
B.B
C.C
D.D

A.0.22A/lm
B.0.22A/W
C.0.33mA/lm
D.0.33mA/W

A.其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关；
B.其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关；
C.其响应取决于光照度，与入射光波长无关；
D.其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。