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欧姆接触降低了结的内建电压。
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通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
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对
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通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。
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冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
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P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
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MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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错
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当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
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错
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一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
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错
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从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
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错
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由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。
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判断题
采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。
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对
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