判断题
X 纠错
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
参考答案：
错
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
判断题
满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
（已有500万+用户使用）
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved
