判断题
X 纠错
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
参考答案：
对
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
判断题
PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中，对坩埚进行间接加热。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中直接加热源的加热体和待蒸发材料的载体为同一物体；而间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中进行间接加热。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
（已有500万+用户使用）
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved
