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热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
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替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
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基区主扩散属于有限表面源扩散。
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判断题
预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
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判断题
二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
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判断题
半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。
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判断题
在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
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判断题
温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。
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对
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判断题
硅热氧化形成SiO
2
体积将增加约1倍。
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判断题
SiO
2
作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。
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