判断题
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SiO
2
作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。
参考答案：
对
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判断题
SiO
2
中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。
参考答案：
对
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判断题
热氧化生长的SiO
2
都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO
2
中有离子键成份，氧空位表现为带正电。
参考答案：
对
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判断题
热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。
参考答案：
错
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判断题
当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。
参考答案：
对
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判断题
管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。
参考答案：
对
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判断题
连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体。
参考答案：
错
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填空题
设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。
参考答案：
埋层光刻；隔离光刻；基区光刻；发射区光刻；引线区光刻；反刻铝电极
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填空题
常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
参考答案：
光刻；氧化；扩散；刻蚀；离子注入（外延、CVD、PVD）
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填空题
湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。
参考答案：
选择比高；工艺简单；各向同性；线条宽度难以控制
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填空题
湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO
2
常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si
3
N
4
常用的腐蚀剂是（）。
参考答案：
硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸
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