填空题X 纠错

湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

参考答案：选择比高；工艺简单；各向同性；线条宽度难以控制
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填空题

湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。

参考答案：硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸
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填空题

控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：腐蚀液浓度；腐蚀时间；腐蚀液温度；溶液的搅拌方式
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填空题

光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

参考答案：溶解度；温度；甩胶时间；转速
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填空题

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

参考答案：涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶
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填空题

特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。

参考答案：高分辨率；高灵敏度的光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准；对大尺寸硅片的加工
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填空题

硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：四氯化硅（SiCl4）；三氯硅烷（SiHCl3）；二氯硅烷（SiH2Cl2）；硅烷（SiH4）
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填空题

根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。

参考答案：气相外延；液相外延；固相外延
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填空题

CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

参考答案：热能；等离子体；光能
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填空题

常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。

参考答案：氩气（Ar）；13.56MHz
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填空题

溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：直流溅射；射频溅射；偏压溅射；磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）
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