填空题X 纠错

参考答案:腐蚀液浓度;腐蚀时间;腐蚀液温度;溶液的搅拌方式
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填空题

光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。

参考答案:溶解度;温度;甩胶时间;转速

填空题

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

参考答案:涂胶;前烘;曝光;显影;坚膜;腐蚀;去胶

填空题

特大规模集成电路(ULIC)对光刻的基本要求包括()、()、()、()、()等五个方面。

参考答案:高分辨率;高灵敏度的光刻胶;低缺陷;精密的套刻对准;对大尺寸硅片的加工

填空题

硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

参考答案:四氯化硅(SiCl4);三氯硅烷(SiHCl3);二氯硅烷(SiH2Cl2);硅烷(SiH4

填空题

根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为:()、()、()。

参考答案:气相外延;液相外延;固相外延

填空题

CVD过程中化学反应所需的激活能来源有()、()、()等。

参考答案:热能;等离子体;光能

填空题

常用的溅射镀膜气体是(),射频溅射镀膜的射频频率是()。

参考答案:氩气(Ar);13.56MHz

填空题

溅射镀膜方法有()、()、()、()等。

参考答案:直流溅射;射频溅射;偏压溅射;磁控溅射(反应溅射、离子束溅射)

填空题

离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有()、()、()、()。

参考答案:反射;产生二次电子;溅射;注入

填空题

自持放电的形式有()、()、()、()。

参考答案:辉光放电;弧光放电;电晕放电;火花放电
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