填空题X 纠错

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

参考答案：涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶
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填空题

特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。

参考答案：高分辨率；高灵敏度的光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准；对大尺寸硅片的加工
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填空题

硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：四氯化硅（SiCl4）；三氯硅烷（SiHCl3）；二氯硅烷（SiH2Cl2）；硅烷（SiH4）
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填空题

根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。

参考答案：气相外延；液相外延；固相外延
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CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

参考答案：热能；等离子体；光能
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常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。

参考答案：氩气（Ar）；13.56MHz
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填空题

溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。

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填空题

离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有（）、（）、（）、（）。

参考答案：反射；产生二次电子；溅射；注入
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填空题

自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。

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填空题

真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。

参考答案：真空系统；蒸发系统；基板；加热
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填空题

真空蒸发的蒸发源有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：电阻加热源；电子束加热源；激光加热源；高频感应加热蒸发源
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