填空题X 纠错

自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。

参考答案：辉光放电；弧光放电；电晕放电；火花放电
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填空题

真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。

参考答案：真空系统；蒸发系统；基板；加热
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填空题

真空蒸发的蒸发源有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：电阻加热源；电子束加热源；激光加热源；高频感应加热蒸发源
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填空题

离子注入系统结构一般包括（）等部分。

参考答案：离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室
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填空题

离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

参考答案：点缺陷、非晶区、非晶层
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填空题

常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

参考答案：余误差；高斯分布
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填空题

制备SiO2的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

参考答案：溅射法；真空蒸发法；阳极氧化法；热氧化法；热分解淀积法
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填空题

在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

参考答案：可动离子电荷；氧化层固定电荷；界面陷阱电荷；氧化层陷阱
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填空题

硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。

参考答案：硼；磷；掩蔽
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填空题

热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。

参考答案：干氧氧化；水蒸汽氧化；湿氧氧化；氢氧合成氧化
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填空题

常规的硅材料抛光方式有：（）抛光，（）抛光，（）抛光等。

参考答案：机械；化学；机械化学
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