单项选择题X 纠错

A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道增强型MOS管

参考答案:
查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

单项选择题

A.电压控制电压源
B.电流控制电压源
C.电压控制电流源
D.电流控制电流源

单项选择题

A.反向截止
B.反向击穿
C.正向导通
D.零偏

单项选择题

A.自由电子
B.空穴
C.离子
D.自由电子和空穴

填空题

为充分提高负反馈的效果,串联负反馈要求信号源内阻()

参考答案:

填空题

需要一个阻抗变换电路,其输入电阻小,应引入()负反馈电路。

参考答案:并联

填空题

已知某晶体三极管的高频参数fT、β,则共基截止频率fa约为()

参考答案:HfT

填空题

三种晶体三极管基本组态放大电路中,()组态输入电阻最小。

参考答案:共基

填空题

通常将开始形成反型层所需的VGS值称为()电压。

参考答案:开启
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved