问答题X 纠错

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

参考答案：最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。
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问答题

试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。

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试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。

参考答案：阳极电压达到正向转折电压Ubo；阳极电压上升率du/dt过高；结温过高。
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若流过晶闸管的电流波形如图所示，电流峰值为Im，试求该电流的波形系数，并选择晶闸管（不考虑电压、电流裕量）。

参考答案：

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问答题

维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

参考答案：晶闸管流过的电流大于维持电流；通过外部电路使晶闸管流过的电流低于维持电流。
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问答题

描述晶闸管正常导通的条件。

参考答案：承受正向电压且有门极触发电流。
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