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问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容,在20MHz工作频率下电路的功耗是多少?

参考答案:

问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器,问该反相器的门延迟时间是多少?

参考答案:

问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时,反相器的门延迟时间是多少?计算中只考虑栅电容负载的影响。

参考答案:

问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

参考答案:

问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn

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问答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管,已知栅电容Cox=10-3pF/μm2,扩散区电容Cja=10-4pF/μm2,扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm,场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2,试计算多晶硅区和扩散区的电容。

参考答案:

问答题

假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm,该层的厚度为1μm计算该材料的方块电阻值。

参考答案:

问答题

假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm,该层的厚度为1μm若使用方块电阻的概念,计算该材料电阻的公式是什么?

参考答案:

问答题

假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm,该层的厚度为1μm由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。

参考答案:

问答题

图2.10版图中,若P管的L/W=8,N管的L/W=1/3,试用表2.3给出的设计规则,求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。

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