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问答题

下图是一个电路的部分版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF/μm2)。

参考答案:金属与衬底:58λ2×0.03=1.74λ2,多晶硅栅电容:4λ2×0.6=2...

问答题

在下图中,分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"

参考答案:测试1/1错误的测试向量:x1,x2,x3=0,1,0测试3/1错误的测试向量:x1,x2,x3=0,0,0/0,1,0...

问答题

在下图中,利用NMOS管实现A与B的同或函数。

参考答案:

问答题

试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式:

参考答案:

问答题

用预充电逻辑设计

画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF,负载电容CL=10fF.VDD=1V,试由下图输入信号画出的波形,并标出相应的电压值。

参考答案:

问答题

试用两输入LUT单元实现逻辑式:Z=AB+CD

参考答案:

问答题

试用多米诺方法实现下列逻辑方程:R=AB+BC+AC

参考答案:

问答题

画出图中版图的电路原理图。

参考答案:

问答题

画出图中版图的电路原理图。

参考答案:

问答题

某CMOS微处理器有40万支晶体管,工作在20MHz频率下,工作电压为5V。假设该微处理器是由五个晶体管组成的基本门实现的,每个基本门的负载为0.1pF,试计算该芯片的动态功耗。这种计算方法是否正确?如果不正确,试提出改正方案。

参考答案:

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