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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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对
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MOS管阈值电压的单位是eV。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。
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对
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MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
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MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
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对
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绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
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对
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MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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对
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当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。
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错
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
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对
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理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
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处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。
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错
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