单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si₃N₄作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si₃N₄时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）

圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？

离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作²⁸Si⁺注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。

Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺

为了降低台阶高度对金属互连线的影响，在沉积金属层前必须对圆片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉积的回流介质主要有：（）

要实现金属互连线与Si的良好欧姆接触，还必须做（）处理。为了避免铝钉扎和电迁移现象，常用（）、（）合金和（）替代纯铝。铝合金化工艺的条件是：（）

肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10^-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。

金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。