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集成电路技术填空题每日一练(2020.01.10)
- 填空题
根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。
答案：干氧氧化；湿氧氧化；水汽氧化 - 填空题
常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
答案：光刻；氧化；扩散；刻蚀；离子注入（外延、CVD、PVD） - 填空题
体系结构设计的三要素为：（）。
答案：建模、探索、细化 - 填空题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
答案：涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶