集成电路工艺原理填空题每日一练(2019.12.16)

填空题
制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。
答案：钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
填空题
常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
答案：光刻；氧化；扩散；刻蚀；离子注入（外延、CVD、PVD）
填空题
选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
答案：局部氧化；浅槽隔离；STI
填空题
立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。
答案：石英工艺腔；加热器；石英舟
填空题
扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。
答案：气相；液相；固相