半导体物理问答题每日一练(2019.03.10)

问答题
什么是能量状态密度？
答案：
能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
问答题
区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？
答案：半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态...
问答题
在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
答案：
问答题
在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，计算77K时的Nc和NV。
答案：
问答题
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
答案：
锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。