微电子学判断题每日一练(2018.12.03)

判断题
对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
答案：正确
判断题
对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。
答案：正确
判断题
半导体激光器的工作原理是受激发射。
答案：正确
判断题
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
答案：错误
判断题
双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。
答案：错误