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集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.01.12)
判断题
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。
答案:
正确
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判断题
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
答案:
错误
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判断题
扩散运动是各向同性的。
答案:
错误
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判断题
纯净的半导体是一种有用的半导体。
答案:
错误
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判断题
高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
答案:
错误
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