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题目列表

半导体物理单项选择题每日一练(2017.11.29)

  • 单项选择题

    对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。

    A.上移
    B.下移
    C.不变

  • 单项选择题

    如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()

    A.禁带变宽
    B.少子迁移率增大
    C.多子浓度减小
    D.简并化

  • 单项选择题

    MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型()。

    A.相同
    B.不同
    C.无关

  • 单项选择题

    为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()

    A、【100】
    B、【111】
    C、【110】
    D、【111】或【110】

  • 单项选择题

    对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与()

    A.平衡载流子浓度成正比
    B.非平衡载流子浓度成正比
    C.平衡载流子浓度成反比
    D.非平衡载流子浓度成反比

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