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题目列表

集成电路制造工艺员单项选择题每日一练(2017.06.27)

  • 单项选择题

    在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入(),然后再装入扩散炉。

    A.耐热陶瓷器皿
    B.金属器皿
    C.石英舟
    D.玻璃器皿

  • 单项选择题

    光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。

    A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
    B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
    C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
    D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

  • 单项选择题

    在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有()。

    A.电子振荡放电
    B.离子自动放电
    C.低电压弧光放电
    D.双等离子电弧放电

  • 单项选择题

    用电容-电压技术来测量扩散剖面分布是用了()的原理。

    A.pn结理论
    B.欧姆定律
    C.库仑定律
    D.四探针技术

  • 单项选择题

    在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

    A.单晶硅刻蚀
    B.多晶硅刻蚀
    C.二氧化硅刻蚀
    D.氮化硅刻蚀

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