集成电路技术综合练习章节练习(2020.06.09)

填空题
动态逻辑实现一个N输入逻辑门所需MOS管的个数为（）个。
答案：N+2
问答题
根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
答案：
增强型和耗尽型
问答题
湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？
答案：湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较...
问答题
为什么说栅长是MESFET的重要参数？
答案：
对MESFET的控制主要作用于栅极下面的区域
问答题
在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？
答案：
发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集
问答题
MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？
答案：减小L和tox提高MOSFET的电流控制能力，减小W将减小输出功率和电流控制能力，同时减小Ltox和W将保持Ids不变和...
问答题
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
答案：
是P和N半导体相互浸入形成的。
如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型
如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。
填空题
逻辑综合在推断RTL部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为（），将与时钟无关但某个条件下保持值不变的信号推断为（），将某个条件下生成‘Z’的信号推断为（），将其它的推断为（）。
答案：D-FF；Latch；三状态门；组合电路
问答题
简述硅单晶研磨清洗的重要性。
答案：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒...
问答题
离子注入后为何退火？
答案：因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后...

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集成电路技术综合练习章节练习(2020.06.09)

动态逻辑实现一个N输入逻辑门所需MOS管的个数为（）个。

根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？

湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？

为什么说栅长是MESFET的重要参数？

在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？

MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？

简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

逻辑综合在推断RTL部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为（），将与时钟无关但某个条件下保持值不变的信号推断为（），将某个条件下生成‘Z’的信号推断为（），将其它的推断为（）。

简述硅单晶研磨清洗的重要性。

离子注入后为何退火？