集成电路工艺原理章节练习(2020.06.02)

来源:考试资料网

问答题

参考答案:无源电阻通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻,而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置,利用晶体管的不同的工作区所...

问答题

参考答案:沟道效应:当注入离子未与硅原子碰撞减速,而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。控制沟道效应的方法:①倾斜硅片;②缓冲氧化...

名词解释

参考答案:

离子沿沟道前进,核阻挡作用小,因而射程比非晶靶远得多,这种现象叫沟道效应。

问答题

参考答案:不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。

名词解释

参考答案:在外延生长过程中,衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发,或者化学反应等非人为地参入外延层,改变了边界层中的掺杂成分和浓度,从...

填空题

参考答案:辉光放电;弧光放电;电晕放电;火花放电

名词解释

参考答案:

扩散开始时,表面放入一定量的杂质源,而在以后的扩散过程中不再有杂质加入,此种扩散称为有限源扩散。

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