A.结晶形态 B.非结晶形态 C.可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的 D.以上都不对
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.没有要求
A.刻蚀速率 B.选择性 C.各向同性 D.各向异性
A.PVD B.CVD C.溅射 D.蒸发
A.扩散泵 B.谁循环泵 C.干式真空泵 D.路兹泵
A.通过的电流值 B.周围环境的温度 C.散热条件 D.导线长度
A.除去光刻胶中剩余的溶剂 B.增强光刻胶对晶片表面的附着力 C.提高光刻胶的抗刻蚀能力 D.有利于以后的去胶工序 E.减少光刻胶的缺陷