半导体物理章节练习(2020.05.22)

（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。
（2）当n_i=2.5×10¹³/cm³，μ_p=1900cm²/v˙s，μ_n=3800cm²/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。
（3）当n₀和p₀为何值时，电导率等于本征电导率。

在室温下，高纯锗的电子迁移率μ_n=3900cm²/v˙s，设电子的有效质量为m_n=3×10^-29g，求：
（1）热运动速度平均值 
（2）平均自由时间
（3）平均自由路程 
（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

简述各类MOS单级放大电路的特点。