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半导体物理章节练习(2020.05.19)
填空题
在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为（），高于费米能级2kT能级处的占据概率为（）。
答案：
1/2；1/1+exp（2）
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问答题
计算硅在-78℃，27℃，300℃时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？
答案：
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问答题
证明非平衡载流子的寿命满足，并说明式中各项的物理意义。
答案：
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单项选择题
在双端输入的差动放大电路中，输入信号Ui1和Ui2分别为60mV和40mV，则共模输入信号Uic和差模输入信号Uid分别为（）mV。
A.100和20
B.50和20
C.100和10
D.50和50
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单项选择题
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
A.相同
B.不同
C.无关
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问答题
什么是半导体的共掺杂？
答案：
掺入两种或两种元素以上
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问答题
试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。
答案：
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问答题
PN结的两种击穿机制有什么不同？
答案：
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问答题
设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
答案：
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判断题
N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
答案：
错误
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